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SI2333DDS-T1-GE3

品牌：Vishay

种类：小信号场效应晶体管

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商品描述

Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN

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规格参数

数据手册

替代型号

名称

参数

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Objectid

1343962294

子类别

Other Transistors

ECCN代码

EAR99

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

元件数量

包装说明

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN

封装形式

SMALL OUTLINE

封装形状

RECTANGULAR

工作模式

ENHANCEMENT MODE

生命周期

Active

端子位置

DUAL

端子形式

GULL WING

端子数量

端子面层

Matte Tin (Sn)

表面贴装

YES

风险等级

1.78

JEDEC-95代码

TO-236AB

JESD-30 代码

R-PDSO-G3

JESD-609代码

晶体管应用

SWITCHING

是否Rohs认证

符合

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

150 °C

湿度敏感等级

极性/信道类型

P-CHANNEL

Samacsys Description

MOSFET P-Ch 12V 5A TrenchFET SOT23 Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23

Reach Compliance Code

compliant

Samacsys Manufacturer

Vishay

晶体管元件材料

SILICON

最大漏极电流 (ID)

6 A

最大功率耗散 (Abs)

1.7 W

最大漏源导通电阻

0.028 Ω

最小漏源击穿电压

12 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

峰值回流温度（摄氏度）

260

处于峰值回流温度下的最长时间

店铺资料

严选上海住歧电子科技有限公司

店铺评分

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分

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个

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次

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